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行业上下游“哀鸿遍野”。
原厂端，包括韦尔股份、江波龙、上海贝岭与景嘉微等在内的厂商，2023Q1财务表现均出现断崖式下滑；上游设备端，SEMI预测今年该市场将同比下滑22%，连ASML的光刻工具都被推迟下单；晶圆制造端，台积电Q1净利润预计同比降5%，明年资本支出或同比呈双位数下滑；需求端，Canalys调研称Q1全球智能手机市场同比跌12%，连续第五个季度下滑。
不过，黑暗中总会出现零星光点。功率半导体领域，便是本轮寒冬中的例外之一，仍然活着且活得还不赖。
在寒冬中坚挺
据日本调研机构富士经济（Fuji Keizai），因汽车电动化与太阳能发电等需求拉动，全球功率半导体市场规模在今年预计可年增12.5%达226亿美元，至2035年可破千亿美元大关。另据德勤中国，本土功率半导体市场规模至2027年有望达到238亿美元。
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可以分为功率IC和功率分立器件两大类。功率IC则是将分立器件与各种功能的外围电路集成而得来。分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三大类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管。按照材料区分，可分为硅基半导体和第三代功率半导体。
从产业链参与者维度，专注功率半导体制造设备的日本厂商DISCO，2022财年（截至2023年3月）的综合营业利润有望首破1000亿日元（约51.79亿元人民币），同比增长近20%，连续3年刷新历史最高利润。
国际巨头英飞凌与安森美，前者上调2023年财务展望，年营收有望超150亿欧元，后者2022财年营收83.26亿美元，同比增长24%，创纪录新高。对于士兰微、华润微与斯达半导体等本土头部厂商，金融分析平台同花顺给出2023年净利润预测分别为13.06亿元（年增24.11%）、25.97亿元（年增14.51%）与11.35亿元（年增38.87%）。
MOSFET需求指数（APAC地区）
信源 | 四方维商品动态商情报告
据四方维商品动态商情报告数据预测，APAC亚太地区市场对MOSFET需求在4月会有小幅下跌，但考虑到新能源汽车厂商为了应对下半年到来的需求高峰，积极采购电子元器件，对MOSFET的需求会随之将回暖，并在6月份达到峰值（如上图）。
具体到功率半导体逆势而起的驱动因素。首先是新能源汽车市场的爆发式增长。据Strategy Analytics数据，传统燃油车中功率半导体的价值量仅为71美元，混合动力汽车中的价值量提升至425美元，而纯电动汽车中的价值量提升至387美元，是传统燃油车的5.5倍。据调研机构Goldman Sachs数据显示，全球电动汽车产量将从2020年的200万台，升至2024年的7300万台。
此外，汽车车灯转为LED大灯以后，MOSFET的需求量从原来每个车灯需要1颗增加至18颗，很多造车新势力热衷的车顶和侧边渐变玻璃对于MOSFET的需求也在增长。
本土厂商加快追赶
整体来看，功率半导体厂商可以分为三个梯队，第一梯队是英飞凌、安森美等欧美厂商为主，第二梯队以三菱电机、富士电机等日本厂商为主，第三梯队以华润微、斯达半导、捷捷微电、新洁能、闻泰科技（安世半导体）等中国厂商为主。
MOSFET
数据显示，全球MOSFET营收前十的厂商仍然以欧、美、日厂商为主，其中英飞凌以29.7%的市场份额遥遥领先，位居全球功率MOSFET市场第一，前2大厂商英飞凌和安森美营收共占比为40.9%（2020年数据），前10大公司营收之和占比高达80.8%。本土厂商方面，安世半导体和华润微分别以4.1%和3%的市占率位列第8和第9。
作为全球最大消费电子生产国，中国市场对中低压MOSFET需求较大，而以捷捷微电、新洁能等为代表的国产厂商，有望承接该领域的市场份额，实现国产替代；高压领域，华润微、新洁能等取得突破，高压MOSFET产品相继量产并贡献利润。具体来看，士兰微已完成12英寸高压超结MOS工艺平台开发；华润微2022年Q1高压超结产品收入超亿元；扬杰科技2022年Q1汽车MOS订单实现大幅增长。
IGBT
据Yole数据显示，2022年全球IGBT市场规模约为68亿美元，预计到2026年规模可达到84亿美元。中国是全球最大的IGBT市场，约占全球IGBT市场规模的40%，预计到2025年中国IGBT市场规模将达到522亿元。
IGBT市场中，安森美第三，前两位是英飞凌和三菱电机。英飞凌和安森美在1700V 以下的中低电压IGBT领域处于领导地位，三菱则主宰了2500V以上的高电压IGBT领域。本土企业中，士兰微在全球IGBT单管及IPM市占率达到3.5%、2.2%，均位列全球第八；斯达半导在全球IGBT模块市占率达3.0%，位列全球第六。
据公开信息整理，斯达半导基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术研发出的新一代车规级650V/750V IGBT芯片通过客户验证，在2022年下半年开始批量供货；士兰微2022年通过定增融资切入车规级IGBT模块以及SiC MOSFET领域，其推出的车规级IGBT等产品已经通过验证，并已批量交货上车。
第三代功率半导体
来自TrendForce集邦咨询的分析称，作为第三代半导体的代表材料，碳化硅（下称SiC）和氮化镓（下称GaN）已经成为高性能器件厂商的最佳选择，在电动汽车、充电桩和基站功放场景中率先得到应用。
使用SiC和GaN材料制备的功率元器件具备高速开关动作和耐热性较高两个特性，开关频率越高，构成电力转换器的电感器等部件实现小型化就越容易。
欧美厂商在SiC功率器件市场占据主导，安森美是少数能提供从衬底到系统的端到端SiC方案供应商。与衬底龙头Wolfspeed相比，其模块封测和量产经验略胜一筹；对比器件设计具备优势的英飞凌，安森美又有GTAT SiC材料的加成。国内厂商在 SiC 功率器件领域入局较晚，目前市场份额较小，格局尚未定型，仍呈追赶之势。
近期，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线，产线配备光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蚀等130台专业设备，主要产品为6英寸碳化硅MOSFET晶圆等。早前，其位于无锡的汽车级碳化硅功率模块制造基地已通线运行。
来自东微半导的消息称，其自主研发的Si2C MOSFET 已通过客户的验证并开始小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能等，实现了对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 的替代。
士兰微已完成第一代平面栅SiC MOSFET技术开发，并将其封装到汽车主驱功率模块上，已向客户送样。预计2023年年底将形成月产6000片6英寸SiC芯片的生产能力。此前公告显示，待SiC功率器件生产线项目建成后，将新增年产14.4万片SiC MOSFET/SBD功率半导体器件芯片的生产能力。
写在最后
中国作为新能源应用转型的最前沿，已为本土功率半导体厂商们提供了足够广阔的市场空间。与此同时，从硅基到第三代半导体，也为本土厂商们提供了拉小差距的可能性。虽然目前来看，英飞凌与安森美等头部厂商仍紧握大部分市场份额，但行业下行趋势下，更多的本土厂商正在衬底材料、外延、设计制造等各个环节，尝试对标。
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