惠科公布SiMiP技术

‍近日，HKC惠科表示，已成功完成全球首款硅基GaN单芯集成全彩Micro-LED芯片（SiMiP）在微间距LED大屏直显领域的应用的研发。该技术基于立琻半导体SiMiP芯片基础上的共同研发，提升了生产效率与显示效果。

此次研发的SiMiP技术通过单芯集成红绿蓝三基色像元，简化生产与修复工艺，该技术可大幅提高微间距LED显示模组生产的直通良率，显著降低生产成本，兼具高性能和成本的优势，或将进一步推动微间距LED大屏直显技术的革新与普及。

SiMiP是一种高阶MiP技术，通过单芯集成红绿蓝三基色像元，无需复杂的巨量转移和修复工艺，只需一次固晶即可将芯片转移到驱动背板上。该技术可大幅提高微间距LED显示模组生产的直通良率，显著降低生产成本，兼具高性能与低成本的优势，为微间距LED大屏直显应用提供了更具竞争力的解决方案。

该技术有以下4点优势：

1.晶圆级封装：SiMiP晶圆切割出的晶粒即为MiP封装结构，可直接用于转移固晶，简化工艺流程，降低成本。

2.无需巨量转移： SiMiP单芯集成了红、绿、蓝三个子像元芯片，可采用成熟的高良率、低成本Pick&Place固晶工艺将芯片转移到驱动背板，无需复杂的巨量转移技术，大幅提高直通良率。

3.红绿蓝三合一：SiMiP芯片通过色转换材料实现红绿像元发光，无需传统的红、绿发光芯片，不仅降低了成本，还避免了传统四元红光芯片生产中用到的有毒材料，更加环保。

4. 一致性好：SiMiP芯片通过硅基蓝光Micro-LED与自研色转换技术集成实现单芯全彩化，红、绿发光像元在工作电压、出光分布及发光波长上具有高度一致性和稳定性。红绿像元发光波长不随工作电流和温度的变化而变化，且出光分布不易受固晶偏差干扰，从根源上解决了传统方案的色偏问题。

2024年至今，惠科持续并加大在MLED领域发力，项目投资方面超过百亿，且在今年提速推进Mini LED产能建设，且在去年12月，相继获得绵投集团24亿元增资；与长虹控股集团签署2025年战略合作备忘录；与长沙市政府团队洽谈内容包括惠科Mini LED背光/直显模组及整机项目的建设；并成功点亮行业首款玻璃基HMO背板的6.67英寸 Micro LED直显屏体。

可见，惠科逐步将Mini LED技术纳入其战略规划，随着惠科在Mini LED领域的持续投入和产能扩张，Mini LED技术或有望成为其核心业务的重要组成部分，不仅将为公司业绩增长提供强劲动力；与此同时，这一战略布局或将为惠科的IPO进程注入新的动能，助力其在资本市场实现更大突破。

立琻半导体则是国内半导体领域的新锐企业，在2021年3月成功竞标收购了韩国LG的光电化合物半导体事业部资产。该收购交易涵盖了近万项GaN和GaAs 技术相关全球专利。