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巨磁电阻（GMR）是一种利用材料微观结构及状态变化所带来的电阻变化现象实现传感、存储等应用的技术，可广泛应用于计算机硬盘、读卡器、传感器等领域。下面将分别介绍巨磁电阻的定义以及结构组成。
巨磁电阻是一种由美国物理学家阿尔弗雷德·费尔德在1988年发现的物理现象。它是指在两个磁性层之间夹杂着一层非磁性金属或者合金材料时，在外加磁场的作用下，磁性层的磁矩产生旋转，导致层间自旋耦合形成不同的电阻状态，从而实现电阻率的变化。
巨磁电阻器件大致由四个部分组成：上磁性层、非磁性层、下磁性层和底部引线。其中，上下两个磁性层将被外加磁场作用，产生不同的磁矩方向。非磁性层被夹在中间，决定了两侧磁性层磁矩的相对位置，从而控制整个器件的电阻率。底部引线则提供了电力连接。
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