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聚焦SiC和GaN!2022年第三代半导体十大事件出炉

2023/01/10
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阅读需 2 分钟
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随着能源技术革命向材料领域渗透,第三代半导体产业正呈现高速发展态势。

碳化硅迎来黄金十年,氮化镓发展持续升温。

2022年,扩产不断、融资不断、研发屡获突破......

岁末已至,“化合物半导体市场”评选出了2022年度行业十大事件与大家分享。

一同回顾不凡的2022年。

01、Wolfspeed启动全球首个8英寸SiC晶圆厂

02、英飞凌投资20亿欧元扩产第三代半导体

03、纳微半导体收购GeneSiC,加速向高功率市场的扩张

04、II-VI正式更名为Coherent

05、意法半导体与Soitec宣布在SiC衬底制造技术方面展开合作

06、丰田合成成功研制出6英寸GaN单晶衬底

07、Ganvix与BluGlass合作开发绿光GaN VCSEL

08、鸿海集团入股盛新材料,深化SiC衬底布局

09、ASM收购SiC外延设备供应商LPE

10、世界先进0.35µm 650V GaN-on-QST制程迈入量产

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
CRCW08051K00FKEAC 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 1000ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP

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2-34854-1 1 TE Connectivity 6.64mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL
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IPW65R080CFDAFKSA1 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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