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TrendForce表示，美国商务部去年10月7日颁布半导体限制措施，针对中国大陆18nm製程(含)以下设备进口，需经商务部审查。其中SK海力士(SK hynix)无锡厂获得一年的生产许可，但由于担忧地缘政治风险升高，加上需求清淡导致库存压力持续，于今年第一季开始减产，该厂每月投片量减少约30%。
无锡厂主流製程为1Ynm，原先计画将产能持续转进1Znm，并降低旧製程产量。然而，未来製程转进受限于美禁令影响，故SK海力士决议提升21nm产线比重，该製程主要产品为DDR3、DDR4 4Gb。长期而言，SK海力士扩产重心将转回韩国，无锡厂则用于供应中国大陆内需，以及较旧製程的Consumer DRAM市场。
DDR3、DDR4 4Gb占SK海力士整体Consumer DRAM出货不到三成，但由于SK海力士延长旧製程产线，小容量的Consumer DRAM供给量将会逐渐增加。分析台系相关产品供应链，南亚科(Nanya)、华邦(Winbond)以及协助IC设计厂代工的力积电(PSMC)都有供应DDR3 4Gb，DDR4 4Gb目前则以南亚科为主。以各厂製程节点角度来看，DDR3 4Gb三大厂与南亚科製程约为20nm上下；在DDR4 4Gb方面，三星(Samsung)目前20nm与1Xnm都有供应，且有意于今年下半年转进至1Znm，製程结构上最为领先；美光(Micron)则无供应该容量颗粒；SK海力士与南亚科约20nm。整体来看，其他台厂主流产品为DDR3，且製程仍位于25nm节点，虽华邦、力积电都在开发20nm中，但在量产前製程仍较为落后。
需求尚未持稳，Consumer DRAM第二季价格持续下跌
从今年第一季Consumer DRAM需求端来看，因电视库存去化较早，因此SoC近期订单小幅增加，需求相对好转；车用需求虽有一定支撑，但目前市场规模仍小；网通需求能见度仍低，买方普遍保守看待，且认为下半年订单需求还会降低。TrendForce表示，儘管原厂陆续减产Consumer DRAM，但纳入库存水位计算，整体仍处供过于求，预估第二季均价仍有10~15%跌幅。值得注意的是，由于Consumer DRAM仅占整体DRAM市场消耗量约8.5%，长期来看，SK无锡厂产能陆续开出后将对其他原厂造成供货压力，价格要反弹恐更困难。
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