6月11日，德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会（PCIM Europe）正式开幕，共吸引了500多家公司参展。
值得关注的是，包括三菱电机、罗姆半导体、英诺赛科、纳微半导体在内的多家SiC厂商，带来了旗下最新产品及技术方案，向业界展示了第三代半导体在电力电子领域的前沿优势。
三菱电机：SiC模块损耗降低91%
本次展会，三菱电机旗下3款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块集体亮相，其适用于包括铁路和电力系统在内的大型工业设备，以满足逆变器系统对提高功率输出和功率转换效率日益增长的需求。
据悉，这3款模块皆为Unifull™系列产品，在产品性能及应用推广上具有诸多优势：
一方面，该系列产品适用于不同输出容量的低电流模块：
三菱电机的SBD嵌入式SiC-MOSFET模块新增3.3kV/400A和3.3kV/200A两款低电流版本，与今年3月发布的3.3kV/800A版本共同构成Unifull™系列。
新的低电流模块，适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统，适用不同功率要求的大型工业设备，并提高其逆变器功率转换效率，扩大了应用范围。
另一方面，内置SBD的SiC-MOSFET，有助于实现逆变器的高输出、高效率和可靠性：
采用优化封装结构的SBD嵌入式SiC-MOSFET，与三菱电机现有的全SiC功率模块相比，开关损耗降低了约54%，与公司现有的Si功率模块相比降低了91%，有助于提高功率输出和效率。
采用双极性模式激活（BMA）元胞结构，提高了抗浪涌电流能力，并有助于提高逆变器的可靠性。
官网资料显示，三菱电机创立于1921年，在电子元器件市场，从事开发和生产半导体已有68年，旗下半导体产品在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。
罗姆半导体：将发布第七代SiC MOSFET
罗姆半导体在展会现场举行了新闻发布会，负责功率器件业务的董事兼常务执行官井和秀对此次活动进行了说明。
据悉，罗姆半导体计划在2025年发布第五代SiC MOSFET，预计导通电阻相比上一代减少30%，接下来，在2027年、2029年，他们将连续推出第六代及第七代产品，预测每一代的标准化导通电阻将同比降低 30%。
官网透露，罗姆半导体成立于1958年，是全球知名的半导体厂商，其宫崎第二工厂正在打造8英寸SiC产线，预计于2025年、2026年分别供应SiC晶圆及功率半导体，随着产能扩充，他们预测其2030财年SiC产能将扩增至2021财年的35倍。
瑞能半导体：聚焦SiC高功率应用
瑞能半导体透露，他们在展会上推出了采用TSPAK封装的全新SiC MOSFET、SiC 肖特基势垒二极管系列、全新SiC 功率模块、全新 1700V SiC 技术& 汽车级 1200V / 750V 车规 SiC MOSFET等一系列可应用于工业，汽车，消费电子等领域的先进功率器件。
据悉，新型TSPAK MOSFET和SBD器件适用于电动汽车充电、车载充电器 、光伏逆变器和高功率密度 PSU 应用。其中，新型 MOSFET 有 650V、750V、1200V 和 1700V 四种型号，电阻范围从 20mΩ 到 150mΩ，新型 SiC SBD 的电流范围为 10 至 40A（650V、750V 和 1200V）。
另一方面，车规级SiC MOSFET提供多种封装选项和产品配置，包括表面贴装器件 (SMD) 分立器件和顶部冷却，实现可再生能源和电动汽车的高功率、高密度设计，是高效率功率电源方案的最佳选择。
官网透露，瑞能半导体成立于2015年，主要产品主要包括碳化硅器件、可控硅整流器和晶闸管、快恢二极管、TVS、ESD、IGBT模块等，产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。
基本半导体：发布2kv碳化硅MOSFET等新品
值得关注的是，基本半导体在会场上正式发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、车规级碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B等系列新品，吸引了海内外行业人士的驻足参观与深入交流。
据基本半导体透露，他们此次发布的新品主要涵盖分立器件和功率模块两大单元，最新开发的2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点，可满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求。
官网透露，基本半导体是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。
瞻芯电子：展示650V-2000V碳化硅系列产品
此次，瞻芯电子在会场上全面展示旗下碳化硅功率器件、驱动和控制芯片产品，以及多种参考设计方案和应用案例。
据悉，他们的展品包括650V~2000V SiC MOSFET、650V~2000V SiC SBD、多种封装的SiC功率模块、驱动与控制芯片产品，还带来了多种参考设计和应用案例。其中，SiC MOSFET具备业界较低的开关损耗，且在高温下保持较低的导通电阻；SiC 二极管增强抗浪涌设计，具有更低的正向压降，满足超越工业级(JEDEC)的可靠性标准。
官网透露，瞻芯电子成立于2017年，是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅MOSFET产品以及工艺平台的公司，并拥有一座车规级碳化硅晶圆厂，致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，并围绕碳化硅应用，为客户提供一站式解决方案。
赛晶科技：碳化硅芯片首次亮相
赛晶科技透露，他们的SiC芯片首次亮相PCIM Europe，成为展出中的亮点，引发热烈反响。
据悉，该产品采用顶部金属化，以便进行键合或者DTS，静态性能匹配先进的汽车MOSFET产品性能需求，动态开关性能适用于EVD和HEEV模块的应用，具有高可靠性、高鲁棒性，综合性能超越第三代SiC MOSFET技术。
官网介绍，赛晶科技集团有限公司是业内技术领先并深具影响力的电力电子器件供应商和系统集成商，聚焦功率半导体及配套器件技术及前沿性电力电子技术两大领域，他们于2019年启动了IGBT自主技术研发，首款IGBT产品已经实现了量产，2023年正式发布车规级HEEV封装SiC模块，EVD封装SiC模块也宣布研发成功。
利普思半导体：发布新一代SiC塑封模块
在展会现场，利普思半导体发布了新一代主驱用塑封半桥SiC模块（LPS-Pack系列），据悉，该系列模块是为满足某海外知名车企差异化需求而开发的新品。
据透露，该产品基于Pressfit Pin方式进行信号和电流传输，实现了SiC on PCB，电流直接过PCB，大大减少了模块和系统的寄生电感，也缩小了控制器的体积，更降低了控制器铜排、电容的成本，此外，由于采用全新塑封封装等工艺，它还具有功率密度高、适合规模化生产等优势。
官网透露，无锡利普思半导体有限公司致力于碳化硅等功率半导体的研发、生产与销售，提供完整的模块应用解决方案，主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块，可应用于新能源汽车、智能电网、可再生能源、工业电机驱动、医疗器械、电源等高性能、高可靠性的场景。
纳微半导体：推出SiC&GaN最新技术
在PCIM 2024上，纳微半导体带来了第三代快速GeneSiC功率FETs、GaNSafe™宽禁带平台、第四代GaNSense™ 半桥氮化镓功率芯片三项最新技术。
其中，纳微开发的第三代快速GeneSiC功率FETs，具有650V和1200V两款产品，基于“沟槽辅助平面栅”技术，可低温运行和快速开关，为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。
官微透露，纳微半导体成立于2014年，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，拥有GaNFast™氮化镓功率芯片、GeneSiC™碳化硅功率器件等系列产品，截止至2023年8月，氮化镓功率芯片已发货超过1.25亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。
安世半导体：SiC二极管可满足车规需求
展会现场，安世半导体带来了SiC、GaN功率 FET 等一系列产品，展示其最新的电源应用和电源技术。
值得注意的是，他们透露旗下的650 V、10 A SiC 肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。
此外，SiC 二极管还提供采用 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK-2 封装的额定电流为 6 A、16 A 和 20 A 的工业级器件，解决了要求高电压和高电流的应用的挑战，包括开关电源、 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、电机驱动器、不间断电源以及用于可持续能源生产的光伏逆变器。
官微显示，安世半导体总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，旗下产品被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，每年的产品出货量超过1000亿件。
威世科技：公布1200V SiC Mosfet
值得注意的是，为了解决电动汽车和储能应用，Vishay（威世科技）在会场上展示其最新推出的1200 V MaxSiC™ 系列SiC MOSFET。
据悉，该系列器件提供 55 mΩ、95 mΩ 和 280 mΩ 的导通电阻，采用专为工业应用设计的标准封装，也可提供定制产品。此外，威世科技将提供650 V至1700 V SiC MOSFET的路线图，导通电阻范围为10 mΩ至1 Ω。
威世科技的SiC平台基于专有的MOSFET技术，旨在满足牵引逆变器、光伏能量转换和存储、车载充电器和充电站等应用的市场需求，未来他们还将发布MaxSiC平台，其中包括AEC-Q101汽车级产品。
官网介绍，威世科技是全球最大的分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电子和精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电感器和电容器）制造商之一，目前已推出650 V 碳化硅肖特基二极管等产品。
万国半导体：新增SiC Mosfet 封装产品
大会现场，AoS（万国半导体）带来了旗下SiC MOSFET表面贴装和模块封装的最新产品。
据悉，他们的新型 1200V αSiC MOSFET，一方面可采用标准 D2PAK-7L 表面贴装封装，符合 AEC-Q101 标准，旨在取代传统的通孔封装，实现高效冷却，更加适合车载充电器等应用，另一方面，也可采用具有顶部冷却功能的GTPAK™表面贴装，能满足满足高效太阳能逆变器和工业电源应用要求。
此外，万国半导体还公布了AlphaModule™高功率无底板模块系列的第一款产品，这款 1200V 半桥 αSiC 模块具有压接引脚和集成热敏电阻，单个模块适用于住宅太阳能逆变器，多个并联模块可满足快速直流充电站的大功率需求。
官网透露，万国半导体是集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商，可提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 Power MOSFET、SiC、IGBT等产品系列，其产品组合广泛应用于消费类和工业类电机控制、智能手机、电池组等领域。
SemiQ：新增1700V SiC二极管
SemiQ在官网透露，他们在会场上展示了最新的1700V SiC二极管产品。
据悉，他们在QSiC™ 产品线中增加 了1700V SiC 肖特基分立二极管和双二极管封装，该产品具有零反向恢复电流和接近零的开关损耗，可满足各种苛刻应用的尺寸和功率需求，包括开关电源、不间断电源 （UPS）、感应加热器、焊接设备、DC/DC 转换器、太阳能逆变器和电动汽车 （EV） 充电站。
官网介绍，SemiQ成立于2012年，总部位于美国，致力于为超高效、高性能和高电压应用提供卓越的碳化硅解决方案，产品组合包括 MOSFET 和二极管，提供分立、模块和裸片，合作客户已覆盖太阳能、电动汽车充电、汽车、医疗和储能等领域。
PCIM Asia 2024：已有120+企业参展，100+报告发布
值得关注是，2024年8月28至30日，作为PCIM Europe的姐妹展，PCIM Asia 2024将在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办，为行业搭建一个高效的交流平台，共同分享电力电子领域的最新科技成果和产业趋势。
据悉，本次PCIM Asia 已经吸引了三菱电机、赛米控丹佛斯、富士电机、英飞凌、罗姆半导体、博世集团、安森美、尼得科、合盛硅业、芯干线、中国中车、南砂晶圆、国基南方、安世半导体等累计120多家企业的赞助或参展，他们将在展会现场展示行业技术的前沿应用。
除产品技术展示，展会现场还将举办国际研讨会、工业论坛等一系列会议活动，会议主题涵盖：宽禁带半导体论坛、高功率器件论坛、电动汽车论坛、清洁能源及储能技术论坛等，并邀请到来自英飞凌、日立电源、禾望电气、清华大学等企业及机构的专家进行现场研讨，同时分享100+电力电子行业学术报告。
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