6月26日，为期三天的SEMI-e 2024第六届深圳国际半导体展在深圳国际会展中心开幕。本届展会特设三馆六大区，覆盖包括芯片设计、晶圆制造与封装、半导体专用设备与零部件、先进材料、第三代半导体/IGBT、汽车半导体为主的半导体产业链。
集邦化合物半导体走访发现，本届SEMI-e展会汇聚了天科合达、万年芯、南砂晶圆、烁科晶体、天域半导体、同光股份、先导集团、普兴电子、科友半导体、合盛新材料、集芯先进、乾晶半导体、天成半导体、纳微半导体、致能科技、蓉矽半导体、镓未来、宇腾电子、晶镓半导体、芯三代、AIXTRON爱思强、汉虹精密、恒普技术、顶立科技、芯晖装备、志橙半导体、高测股份、宇晶机器、创锐光谱、中宜创芯、九域半导体、纳设智能、黄河旋风、季华恒一、力凯数控、清软微视、泰微科技、联合精密、众力为、中机新材、优界科技等第众多三代半导体领域知名厂商，展示了第三代半导体SiC、GaN领域最新技术和产品，彰显了第三代半导体产业正在蓬勃发展，各家厂商展品汇总如下：
天科合达
本届展会，天科合达带来了高纯导电SiC粉料、6英寸N型SiC晶锭、6英寸N型SiC衬底等产品。
目前，天科合达已形成拥有自主知识产权的SiC单晶生长炉制造、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测和外延片制备等七大关键核心技术体系，覆盖SiC材料生产全流程，形成一个研发中心、三家全资子公司和一家控股子公司的业务布局。
比亚迪半导体
本届展会，比亚迪半导体带来了IGBT晶圆及汽车功率模块等产品。
据悉，去年11月底，位于绍兴滨海新区的比亚迪半导体功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工。该项目总投资100亿元，项目建设年产72万片功率器件产品和年产60亿套光微电子产品生产线，达产后可实现年产值150亿元。一期项目研发生产的功率器件、传感控制器件，均为新能源汽车核心器件。
泰科天润
本届展会，泰科天润展示了6英寸SiC晶圆、6英寸SiC MOSFET等系列产品。
目前，泰科天润的SiC产品范围覆盖650V-3300V（0.5A-100A）等多种规格，提供TO220、TO220全包封、T0220内绝缘、T0247-2L、TO247-3L、TO247-4L、TO252、TO263、DFN8*8、DFN5*6、SOD-123FL、SMA、SMD等多款塑封以及高温封装形式，并可按客户需求提供其他封装形式，已经批量应用于PC电源、光伏逆变器、充电模块、OBC、DC-DC等多个领域。
世纪金芯
本届展会，世纪金芯展示了SiC高纯粉料、6/8英寸SiC晶锭/衬底等产品。
其中，世纪金芯带来的SiC高纯粉料纯度可达99.9999%wt以上；其6/8英寸SiC晶锭/衬底具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等特性。今年4月，世纪金芯与日本某客户签订SiC衬底订单。按照协议约定，世纪金芯将于2024年、2025年、2026年连续三年向该客户交付8英寸SiC衬底共13万片，订单价值约2亿美元。
晶格领域
本届展会，晶格领域带来了3C-n型SiC衬底、4H-p型SiC衬底等产品。
其中，3C-n型SiC衬底具有更高的电子迁移率(3C-SiC，1100cm²/V·s；4H-SiC，900 cm²/V·s)，同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性，能大幅度提高器件产品良率；而4H-p型SiC衬底是利用液相法生长的p型SiC衬底，具有低电阻、高掺杂浓度高品质等特点，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求。
众力为
本届展会，众力为展示了SiC二极管浪涌电流测试系统、SiC动态参数测试系统、GaN HEMT动态参数测试系统等产品。
其中，SiC二极管浪涌电流测试系统采用高速DSP+总线控制+触屏和PC软控界面，实现测试前自动VF接触性检测，浪涌电流测试后通过反向电流检测功能自动检测DUT是否失效。GaN HEMT动态参数测试系统基于QT开发的人机交互界面，所有测试条件均可界面化输入，系统闭环处理，自动调节实现一键测试；采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强；设备带有自动高温加热功能，温度范围为室温-200℃，精度±0.1℃。
方正微电子
本届展会，方正微电子展示了SiC MOSFET、GaN HEMT等系列产品。
其中，SiC MOSFET系列产品可广泛应用于新能源汽车主驱控制器、OBC充电、直流充电桩，光伏/储能逆变，工业电机驱动等场景，具有功率密度高、效率高、损耗低等特点；GaN HEMT系列产品可应用于PD快充、PC电源、通讯/数据中心电源等场景，损耗低、效率高、体积小。
高测股份
本次展会高测股份向外主推碳化硅切片和半导体金刚线切片机。
据介绍，公司主推设备型号GC- SCDW8300型碳化硅切片机，大大提升切割效率及出片率，降低生产成本，对比砂浆切割产能提升118%，成本降低26%。
设备型号GC-SEDW812半导体金刚线切片机，使用金刚线切割半导体单晶硅片的专用加工设备，可加工硅棒直径兼容8寸、12 寸，最大加工长度450mm（晶向偏角≤4°）。
优界科技
优界科技首次在国内展出纳米银预烧结贴片机SiC-8Kpro。
该设备具备可应用于银膜、银膏等有压、无压工艺，兼容2寸/4寸wafer，主要针对SiC、IGBT、射频功率器件、大功率激光器等产品。
万年芯
本届展会，万年芯带来了SiC PIM模块、智能功率模块（IPM）、半桥SiC模块、超低内阻SiC MOSFET等系列产品。
其中，SiC IPM模块系列产品，封装使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片，内置性能强大的驱动芯片、6-12颗SiC功率芯片、温度传感芯片，电压650V~1200V，功率300~5000W，适用于驱动电机的变频器和各种逆变电源。
万年芯超低内阻SiC MOSFET系列产品，使用自主研发的框架结构，650V 系列产品最低Rdon为5毫欧，1200V系列产品最低Rdon为7毫欧。TO247-4PHC封装具有强大的过流能力（持续电流200A）、耐压能力（3300V），可用于40-60KW充电桩电源、100KW工商储能PCS、5G电源、太阳能光伏逆变器、电网、高铁、汽车等行业。
爱仕特
本届展会，爱仕特展品范围涵盖650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大电流产品）、650-1700V的SiC功率模块以及在新能源汽车、光储充等领域的前沿应用解决方案。
其SiC MOSFET产品全系列采用6英寸晶圆量产，最高耐压3300V，最低内阻15毫欧，按照AEC-Q101标准测试，能够满足车规级要求。
森国科
本届展会，森国科带来了SiC二极管、SiC MOSFET、SiC模块等系列产品。
森国科全SiC功率模块包括MOSFET模块以及肖特基二极管模块，SiC MOSFET模块采用主流的Easy 2B封装,模块拥有极小的反向恢复损耗，优异的高温特性，卓越的散热能力，可以有效减小系统体积，提升整体效率，降低散热要求，降低系统成本，降低电磁干扰。森国科SiC肖特基二极管模块采用第五代SiC芯片组，具有更低的损耗，在高温下具有低导通电阻和出色的开关性能，可以有效简化系统的热设计。
合盛新材
本届展会，合盛新材展示了高纯度SiC原料、6英寸N型SiC外延片、6英寸N型SiC双面抛光衬底片等产品。
合盛新材高纯度SiC原料纯度不低于99.9999%，颗粒度精确可控；6英寸N型SiC外延片总缺陷密度可达MOS级≤0.5/cm²，厚度均匀性≤2%，浓度均匀性≤4%；6英寸N型SiC双面抛光衬底片微管密度可达≤0.1/cm²，BPD可控制在≤500/cm²，TSD可控制在≤100/cm²。
爱思强
本届展会，爱思强展示了SiC外延CVD系统G10-SiC方案。
据悉，G10-SiC设备发布于2022年9月，自上市以来销量持续保持增长，成为爱思强业绩发展的一大强劲增长引擎，营收比重不断提高。2023年，得益于SiC、GaN等G10系列设备的销量增长，爱思强实现总营收6.299亿欧元，同比增长36%。其中，设备销售额为5.323亿欧元，占总营收比重从82%上升至85%。
科友半导体
本届展会，科友半导体展示了6/8英寸SiC籽晶产品。
今年3月，科友半导体与俄罗斯N公司在哈尔滨签署战略合作协议，开展“8英寸SiC完美籽晶”项目合作。通过与俄罗斯N公司合作，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，而应用品质优异的籽晶进行晶体生长，能够大幅降低8英寸SiC晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长的质量和良率，并推动SiC长晶炉体及工艺技术的优化与升级。
黄河旋风
本届展会，黄河旋风展示了直径为0.250mm、0.175mm、0.155mm的多款切割SiC单晶金刚石线产品，切割对象为2-8英寸绝缘型及导电型SiC单晶，适用于安永HW810等高速专用设备。
黄河旋风在2022年研发成功并投放市场的第三代半导体SiC单晶切片专用线锯，拥有较好的匹配性和较高的稳定性。
蓉矽半导体
本届展会，蓉矽半导体展示了SiC MOSFET、SiC EJBS系列产品。其SiC MOSFET产品具有短路耐受时间＞3μs、栅氧化层长期可靠、导通电阻和开关损耗低、高雪崩耐量等特点，工作结温达175℃；其SiC EJBS产品具有高抗浪涌电流能力、低正向导通压降、低反向漏电流、零反向恢复电流等特点。
蓉矽半导体引入了WLTBI(Wafer-Level Test & Burn-ln)系统，晶圆测试阶段引入WLTBI，在高温/高应力的作用下，有效筛除SiC MOSFET中早期失效和偶发失效过渡区域内存在风险的芯片，以确保SiC晶圆出厂质量与可靠性符合行业最高标准。
九域半导体
本届展会，九域半导体展示了方阻（电阻率）测试仪（片与锭）产品。
该设备主要利用涡电流测试原理，非接触测试半导体材料、石墨烯、透明导电膜、碳纳米管、金属等材料的方阻(电阳率)，可实现单点测试，亦可以实现面扫描的测试功能，可用于材料研发及工艺的监测及质量控制。本仪器为非接触、非损伤测试，具有测试速度快、重复性佳、测试敏感性高、可以直接测试产品片等优点。
同光股份
本届展会，同光股份展示了SiC合成粉料、6英寸高纯半绝缘SiC衬底、6/8英寸导电型SiC衬底、6/8英寸导电型SiC晶锭等丰富多样的SiC产品。
同光股份早在2014年就已经有SiC单晶衬底面世，目前已经攻克了高纯SiC原料合成、晶型和结晶质量控制、籽晶特殊处理等多个关键技术难题，掌握了高品质、低缺陷SiC单晶衬底制备技术。
同光股份旗下设有三个工厂，分别是保定工厂一期、保定工厂二期和涞源工厂。这些工厂布局了完整的SiC衬底生产线，涵盖了从原料合成、晶体生长、衬底加工到晶片检测的全过程。
纳设智能
本届展会，纳设智能展示了6/8英寸SiC外延设备方案，具备气路独立可控、工艺指标优异、机台量产稳定、NP型灵活切换等特点。
今年1月，纳设智能自主研发的首台原子层沉积设备完成了所有生产和测试流程，顺利出货。
镓仁半导体
本届展会，镓仁半导体展示了2/4/6英寸氧化镓衬底、半绝缘型氧化镓方形衬底、导电型氧化镓方形衬底、非故意掺杂氧化镓方形衬底等各类产品。
氧化镓材料的高击穿电压及低导通电阻特性在功率电子器件方面有巨大应用潜力，包括新能源汽车、光伏逆变器、轨道交通、国家电网、空间应用等。氧化镓材料的禁带宽度达到4.85eV，可见光波段透过率好，可应用于日盲紫外探测、辐射探测等领域。此外，氧化镓单晶与GaN的低失配特性，还适用于生长GaN材料制备高性能的射频器件，从而在5G通信方面有重要应用前景。
乾晶半导体
本届展会，乾晶半导体展示了4/6英寸半绝缘SiC抛光片、6/8英寸导电型SiC抛光片、6英寸SiC肖基特二极管晶圆、TO-220封装SiC二极管等众多产品。
目前，乾晶半导体6英寸SiC单晶及抛光片产品已经实现批量供货，8英寸产品可供小批量测试。
晶镓半导体
本届展会，晶镓半导体展示了GaN自支撑衬底、GaN厚膜晶片等产品。其GaN单晶衬底主要应用于蓝绿光激光显示、激光照明、微波通讯、电力电子等领域。
晶镓半导体成立于2023年8月，主要从事第三代半导体材料GaN单晶衬底的研发、生产和销售，是少数具有完全自主知识产权的GaN单晶衬底生产制造厂家。
芯三代
本届展会，芯三代展示了SiC外延设备方案及客户外延片产品。
芯三代目前聚焦SiC等第三代半导体装备，代表产品为用于大规模量产SiC外延生长的CVD设备，该设备产能≥1000片/月，通过工艺优化，可超过1200片/月，外延规格为英寸时(兼容8英寸)，最高外延生长速率≥60微米/小时。
该设备拥有完全独立的自主知识产权，具有独创的进气方式、垂直气流和温场控制技术，辅以全自动上下料(EFEM)系统和高温传盘等手段，在高产能、6/8英寸兼容、Co0成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性和可靠性等方面都具有优势。
烁科晶体
本届展会，烁科晶体带来了6/8英寸导电N型SiC衬底、8英寸导电N型SiC晶锭等各类产品。
烁科晶体通过多年自主创新先后完成 4、6、8英寸SiC单晶衬底技术攻关，现已掌握SiC生长装备制造、碳化硅粉料制备，N型及高纯半绝缘SiC单晶衬底制备工艺，拥有SiC粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。
普兴电子
本届展会，普兴电子展示了8英寸SiC外延片、硅基GaN外延片、氧化镓外延片等各类外延产品。
今年2月，普兴电子官网信息显示，其“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示。本项目总投资35070.16万元，利用公司1#厂房进行改扩建，建筑面积约4000平米，购置SiC外延设备及配套设备116台（套）形成一条6英寸低密度缺陷SiC外延材料生产线。项目建成后，将实现年产24万片SiC外延片的生产能力。
天域半导体
本届展会，天域半导体主要展示了SiC外延片及相关衬底/器件模块产品，包括6/8英寸SiC晶圆、6/8英寸SiC衬底、6/8英寸SiC外延片、SiC MOSFET、汽车主驱模块等。
天域半导体主要向下游客户提供SiC外延片产品，用于制作650V-3300V、3300V-20000V单极和双极功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。
镓未来
本届展会，镓未来展示了6英寸硅基GaN晶圆和各类GaN封装产品，适用于PD快充、适配器、驱动电源、逆变器等应用场景。
据悉，户外电源在休闲娱乐、户外作业和应急救援等方面应用广泛，为了延长户外电源的使用寿命和可靠性，特别是针对户外作业对防水防尘的应用要求，满足市场对无风扇户外电源设计需求，镓未来率先推出GaN大功率无风扇双向逆变器技术平台。
致能科技
本届展会，致能科技带来了6英寸硅基GaN晶圆以及各类应用方案。
致能科技成立于2018年12月，公司总部位于广州，在徐州、深圳、上海等地设有生产研发基地和市场销售中心。公司致力于GaN功率半导体器件的研发与生产，已建成外延、器件、封装、系统的全链条研发及生产能力。
去年11月，致能科技首发1200V耗尽型（D-Mode）高可靠性GaN器件平台。在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，可用于工业、新能源、汽车等领域。
天成半导体
本届展会，天成半导体展示了导电型SiC粉料、导电型SiC晶锭、半绝缘型SiC晶锭、6/8英寸导电型SiC衬底等产品。
天成半导体将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，利用自蔓延法制备的高纯SiC粉料，其纯度高达99.9999%。
恒普技术
本届展会，恒普技术展示了SiC长晶炉、碳化钽涂层材料等产品。
其中，SiC长晶炉可实现多区域独立控温、长晶全周期温度控制。碳化钽涂层有助于提高SiC晶体生长质量，是“长快、长厚、长大”核心技术方向之一。
中宜创芯
本届展会，中宜创芯展示了众多类型的SiC粉料、SiC晶锭以及SiC衬底产品。
其SiC半导体粉体产品主要分为掺氮SiC粉体、不掺氨SiC粉体、半绝缘SiC粉体和立方SiC粉体四大类，产品纯度最高达到7N级，粒度分8目以上、8目-20目、20目-40目、40目-80目、80目以下作为SiC半导体原料，广泛用于SiC单晶生长。
顶立科技
本届展会，顶立科技展示了高温石墨化炉、化学气相沉积炉等设备。
其中，化学气相沉积炉是制备高性能碳基、陶瓷基复合材料的关键设备，顶立科技突破了大型沉积装备温场/流场均匀控制、智能压力调控、腐蚀性液体气化及精确传送/进给、尾气处理等一系列关键技术，掌握了大型SiC、BN及PyC等沉积装备设计及制造相关的全套技术，打破了国内只能生产小尺寸设备的局面，填补了国内空白。
季华恒一
本届展会，季华恒一展示了快速退火炉、高温外延炉、离子注入机等设备。
季华恒一专注于宽禁带半导体和新能源领域的半导体装备产业化，着力于开发满足高良率、稳定生产需求的SiC高温外延生长系统、高温离子注入系统、高温氧化系统、激光退火系统、快速退火系统、真空镀膜系统等装备。
创锐光谱
本届展会，创锐光谱展示了SiC少子寿命质量成像检测系统、SiC衬底位错缺陷光学无损检测系统等设备。
其中，SiC衬底位错缺陷光学无损检测系统为SiC衬底位错缺陷专用检测设备，可全面替代碱液蚀刻（有损）检测方式，AI精准识别BPD、TSD、TED，准确率＞90%。
中机新材
本届展会，中机新材带来了SiC衬底粗磨液、SiC衬底精磨液、SiC衬底粗抛液、SiC衬底精抛液等系列产品。
据悉，传统磨抛方案中，研磨液占SiC衬底原材料成本的15.5%，传统多晶和类多晶研磨成本中高氯酸占总成本的30%，且高氯酸产生的环境污染时间长、范围广、难以根除。而中机新材首创的团聚金刚石技术，替代了多晶和类多晶，有效解决了生产过程中的环保和成本痛点。
飞仕得
本届展会，飞仕得带来了SiC器件动态偏压可靠性设备ME100DHTXB。
该设备实现DHTGB、DHTRB、DHTGB+DHTRB一体三种功能，同时可兼容HTGB、HTRB功能；每个抽屉独立，匹配独立电源，不同抽屉可实现不同条件、不同封装器件同步老化；一个柜体内置5个抽屉，最多可配4个柜体；不同柜体任意选配DHTGB/DHTRB，增加不同封装器件老化，新增对应抽屉即可，无需再次购买整个设备。
宇腾电子
本届展会，宇腾电子带来了6英寸硅基GaN功率器件晶圆、4英寸蓝宝石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列产品。
宇腾电子致力于光电与半导体产业相关设备升级与改造；第三代半导体GaN外延片、5G光通讯厚氧化层外延硅片设计生产；MOCVD反应室专用石英与石墨制品设计生产等，为客户提供定制化产品与服务。
中环领先
本届展会，中环领先带来了6英寸SiC外延片、6英寸硅基GaN外延片等产品。
据悉，中环领先专注于半导体材料及其延伸产业领域的研发和制造，目前其第三代半导体材料产品还在加码研发中。
先导集团
本届展会，先导集团旗下先为科技带来了GaN MOCVD外延设备和SiC 外延设备。
其中，BrillMO系列MOCVD系统适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计,具有成膜质量高、产能高、使用成本低等优势,为GaN外延加工提供完备的解决方案。
BriSCore系列CVD系统采用创新的批量式腔体设计,可同时加工15片6英寸晶圆，适用于6英寸和8英寸SiC功率芯片的外延制造。BriSCore SiC Epi外延设备具有产能表现优异、使用成本低等优势,为SiC外延加工提供量产解决方案。
南砂晶圆
本届展会，南砂晶圆带来了6/8英寸导电型SiC晶棒、6/8英寸导电型SiC衬底片系列产品。
南砂晶圆产品以8英寸、6英寸导电型和半绝缘型SiC衬底为主，可视市场需求不断丰富产品线。南砂晶圆生产的8英寸导电型SiC衬底的TSD、MPD和SF可达到0，BPD≤200cm﹣²。
迈为股份
本届展会，迈为股份带来了8英寸SiC研磨设备。
迈为股份于2010年9月成立，是一家集机械设计、电气研制、软件开发、精密制造于一体的高端装备制造商，公司面向太阳能光伏、显示、半导体三大行业，研发、制造、销售智能化高端装备，主要产品包括全自动太阳能电池丝网印刷生产线、异质结高效电池制造整体解决方案、OLED柔性屏激光切割设备、Mini/Micro LED晶圆设备、半导体晶圆封装设备等。
集邦化合物半导体Zac
器件型号：C0603C102K5RACAUTO
下载ECAD模型
