5G 深入导致射频前端不断升值，芯片整合将会变为趋势？

与非网 10 月 14 日讯，通讯世代从 2G 发展到 4G，每一代的蜂窝技术都出现不同面貌的革新。从 2G 到 3G 增加接收分集技术，3G 到 4G 则增加载波聚合，再到 4.5G 时则是增加超高频，4x4 MIMO，更多的载波聚合。

而这些变革都为手机射频发展带来新的成长动能。手机的射频前端是指介于天线与射频收发之间的通信零组件，包含滤波器、LNA(低噪声放大器)、PA(功率放大器)、开关、天线调谐等。

而随着进入 5G，更多的频段导入，以及涵盖更多新技术，使得射频前端零组件的价值不断上升。但智慧手机分配给该功能的 PCB 空间量却不断下降，而透过模块化提升前端零件的密度成为趋势。

但制造成本及是否易于实现芯片整合，则是取决于半导体原料，故既能满足高频需求，制造成本有优势，且易于呈现整合芯片的半导体原料，为了节省手机成本，空间及功耗，5G SoC 和 5G 射频芯片的整合将会是趋势。

根据芯片整合度，手机射频前端模块可以分为高、中、低整合模块。高整合的产品主要有 PAMiD 和 LNA DivFEM，主要用于中高阶手机；中度集成产品主要有 FEMiD、PAiD、SMMB PA 及 MMMB PA 等。

苹果、三星、华为等高阶智能手机就大量使用整合模块。举例来看，iPhoneX 中采用 Qorvo 的 PAMiD，Avago 的 PAMiD，及 Epcos 的 FEMiD。

根据 Yole 预估，全球射频前端市场将由 2017 年的 151 亿美元，成长到 2023 年的 352 亿美元，年复合成长率高达 14%。此外，根据 Navian 估计，模块化现在占 RF 元件市场约 30%，在不断整合的趋势下，模块化比率将在未来逐步上升。