资料中心与5G建置需求高涨，功率半导体市场将逐步回稳

功率半导体晶圆制造代工大厂汉磊，公布 2019 年第三季营收情形，由于 2019 年前 3 季市场遭遇去库存及市况不佳等因素影响，第三季营收为 1.24 亿美元，年减 21.2%。

面对大环境不佳挑战，汉磊总经理庄渊棋表示：「2019 年第三季开始，营收表现将谷底反弹，并且随着功率半导体需求逐季回稳；预计到 2020 年第二季，整体产能利用率有机会回升至 9 成。」

现行功率元件由于成本考量，主要以 Si 与 SiC 晶圆并搭配磊晶技术为主流

由于功率半导体所需的操作电压较大，传统 Si 元件因本身材料特性，崩溃电压值(Breakdown Voltage)难以承受数百伏特以上，因而元件材料逐渐改由第三代半导体之宽能隙材料(SiC 与 GaN)取代。

另一方面，由于晶圆(Substrate)成本与制程条件等考量，Si 晶圆无论在尺寸、价格上仍较 SiC 与 GaN 晶圆大且便宜许多，所以为求有效降低晶圆成本，磊晶生成技术此时就变得格外重要。

目前制造功率半导体的主流晶圆，依然以尺寸较大、价格平价的 Si 晶圆为大宗；而可承受高电压但尺寸稍小、价格稍贵的 SiC 晶圆则为次要。

选定晶圆材料(Si 或 SiC)后，即可透过 MOCVD 或 MBE 机台，成长元件所需之 SiC 或 GaN 磊晶结构；随后再进行相关半导体前段制程(薄膜、显影及蚀刻)步骤，最终完成 1 颗功率元件。

全球资料中心与 5G 基地台建置需求，引领功率 IDM 厂与代工厂营收动能

根据现行功率半导体发展情形，目前主要以 GaN(氮化镓)及 SiC(碳化硅)等第三代半导体材料为主。

其中，国际 IDM 大厂如英飞凌 Infineon、科锐 Cree、II-V 等投入动作最积极，且相关厂商正试图抢占全球宽能隙材料磊晶生成与晶圆代工等市场。

近期搭上 Server 资料中心与 5G 基地台设备建置需求，预估到 2019 年第四季，国际 IDM 大厂于功率半导体与电源管理芯片等订单需求将逐步提升，因而带动底下制造代工厂商相关产能跟着扩张。

跟随此发展趋势，汉磊为第三代半导体中的制造代工大厂，虽然 2019 年前 3 季营收市场状况表现略有不佳，但随着近期 IDM 大厂的逐步转单挹注下，将驱使提升整体产能利用率，对于后续经营发展上将有一定程度上的助益。