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中芯成都代工，采用上海微光刻机 SSA800/10W浸入式光刻机参数

2021/10/29
8699
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中芯成都代工，采用上海微光刻机 SSA800/10W浸入式光刻机参数：镜头NA：1.35 单次曝光分辨率：38-41nm 双工件台：DWSi，产率在每小时200片晶圆 套刻精度：优于2.5nm 设计指标：能够在单次曝光条件下满足28nm平面planner晶体管逻辑电路工艺需求。

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