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35 A ePower™功率级集成电路让您实现更高的功率密度并简化设计

2022/08/11
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阅读需 4 分钟
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宜普电源转换公司(EPC)推出ePower™功率级集成电路,它集成了整个半桥功率级,可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流,为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案,包括DC/DC转换、电机驱动和D类音频放大器等应用。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V、35 A的集成电路,专为48 V DC/DC转换而设计,用于高密度计算应用和面向电动汽车机器人无人机的48 V BLDC电机驱动器

EPC23102 eGaN集成电路可实现100 V的最大耐受电压、实现高达35 A的负载电流和高于1 MHz的开关速度。

  • 基于宜普公司专有GaN IC技术的EPC23102集成电路的主要特点包括集成了输入逻辑接口、电平转换器、自举充电和栅极驱动缓冲电路,以控制具6.6m Ohm RDS(on) 并配置为半桥功率级的高侧和低側场效应晶体管
  • EPC23102采用了更耐热的QFN封装,尺寸只有3.5 mm x 5 mm,为最高功率密度的应用提供超小型化的解决方案。

当工作于48V/12V降压转换器时,EPC23102在1MHz开关频率下的效率高于96%和具备8至17 A连续负载电流能力,额定电流为35 A。

宜普电源转换公司的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow 说:“ePower产品系列让设计人员实现氮化镓技术带来的显着性能改进。集成电路更易于采用、布局、组装,而且节省占板面积并提高效率,从而让设计人员实现更轻、更精确的BLDC电机驱动器、更高效率的48 V输入DC/DC转换器、更高保真度的D类音频系统,以及其他工业和消费类应用。”

EPC90147开发板的最大器件电压为100 V、最大输出电流为35 A、采用半桥配置和EPC23102 ePower功率级集成电路。开发板旨在简化对EPC23102的评估过程。这块2”×2”(50.8 mm × 50.8 mm)电路板是为实现最佳开关性能而设计的,而且包含所有关键元件,从而易于进行评估。

交叉参考搜索提供许多硅基电源管理器件的交叉参考和GaN FET替代产品,便于比较参数差异而不需数据表就可以找出最合适的eGaN FET以提高设计效率。只需输入竞争对手的产品型号,就可以找到推荐的氮化镓替代器件。

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