硬件型号：RisymAO3400
系统版本：半导体系统
场效应管的参数有：开启电压UT （MOSFET)、夹断电压UP （JFET）、饱和漏极电流IDSS （JFET）、直流输入电阻RGS、跨导Gm和最大漏极功耗。
1、开启电压UT （MOSFET）
通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS（th）或UT表示。开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。
2、夹断电压UP （JFET）
当UDS为某一固定值（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅一源极间加的电压即为夹断电压。当UGS＝UP时，漏极电流为零。
3、饱和漏极电流IDSS （JFET）
饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。IDSS型场效应管所能输出的最大电流。
4、直流输入电阻RGS
直流输入电阻RGS是漏一源短路，栅一源加电压时栅一源极 之间的直流电阻。结型场效应管：RGS》107ΩMOS管：RGS》109～1015Ω。
5、跨导Gm
漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。
6、最大漏极功耗
最大漏极功耗PD＝UDSID，相当于三极管的PCM。
