碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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50212-8000 | 1 | Molex | Wire Terminal, |
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$0.03 | 查看 | |
BAT54SWT1G | 1 | Rochester Electronics LLC | 0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SOT-323, 3 PIN |
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$0.09 | 查看 | |
ACS102-6TA-TR | 1 | STMicroelectronics | Overvoltage protected AC switch |
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$0.05 | 查看 |