RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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06035C104KAT4A | 1 | Kyocera AVX Components | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 50V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), Sn/NiBar, -55º ~ +125ºC, 13" Reel |
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$0.03 | 查看 | |
CRCW1206120RFKEAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 120ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP |
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暂无数据 | 查看 | |
320563 | 1 | TE Connectivity | (320563) TERMINAL,PIDG R 16-14 1/4 |
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$0.49 | 查看 |
01/22 09:54
01/22 09:50
01/22 09:27
01/22 09:24
01/22 09:21
01/16 10:43
01/10 14:26
01/09 18:37
01/08 18:39
01/08 18:34
01/08 18:31
01/08 18:26
01/08 17:56
01/05 14:15
01/05 14:06
01/05 13:59
01/05 13:48
01/05 13:45
01/05 13:41
01/05 13:39