射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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0190730017 | 1 | Molex | Ring Terminal, 0.8mm2, ROHS COMPLIANT |
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$0.65 | 查看 | |
5748676-2 | 1 | TE Connectivity | DIE CAST CBL CLMP KIT,SZ 2 |
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$8.6 | 查看 | |
22-01-3027 | 1 | Molex | Board Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Female, 0.1 inch Pitch, Crimp Terminal, Locking, White Insulator, Plug, |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$0.14 | 查看 |
01/22 09:54
01/22 09:50
01/22 09:27
01/22 09:24
01/22 09:21
01/16 10:43
01/10 14:26
01/09 18:37
01/08 18:39
01/08 18:34
01/08 18:31
01/08 18:26
01/08 17:56
01/05 14:15
01/05 14:06
01/05 13:59
01/05 13:48
01/05 13:45
01/05 13:41
01/05 13:39