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扫码加入RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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| 2-520405-2 | 1 | TE Connectivity | ULTRA-FAST 250 ASY REC 22-18 TPBR |
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$0.33 | 查看 |
| 2N7002PS,115 | 1 | Nexperia | 2N7002PS - 60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET@en-us TSSOP 6-Pin |
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$0.19 | 查看 |
| P409CP224M250AH101 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.22uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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暂无数据 | 查看 |
人工客服
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