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AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

2023/04/25
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适用于频率从136到520 MHz的移动双向无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使它们非常适用于移动无线电设备中大信号的共源放大器应用。

特点：

  • 适用于136到520 MHz的操作
  • 无与伦比的输入和输出，使其可以广泛利用于不同频率范围
  • 集成ESD保护
  • 集成稳定性增强
  • 宽带 - 全频段全功率支持：
    • 136-174 MHz
    • 380-450 MHz
    • 450-520 MHz
  • 225℃可靠的塑料封装
  • 出色的热性能
  • 高线性度，适用于TETRA、SSB、LTE
  • 成本效益高的过模制塑料封装
  • 带卷轴胶带包装。R1后缀 = 500个单位，胶带宽度24 mm，13英寸卷轴。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
C3225X7S2A475K200AB 1 TDK Corporation of America Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7S, 22% TC, 4.7uF, Surface Mount, 1210, CHIP, HALOGEN FREE, ROHS AND REACH COMPLIANT

ECAD模型

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$1.21 查看
PMR205AB6100M220R30 1 Evox Rifa / KEMET Film Capacitor, Paper, 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 0.1uF, 7320,
$5.16 查看
38280-0112 1 Molex Barrier Strip Terminal Block, 2 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT
$27.52 查看
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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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