纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET，为高效、可靠能源变换再添助力！

- 更宽的栅极驱动电压范围（-8~22V）

• 支持+15V，+18V驱动模式（可实现IGBT兼容：+15 V）
• +18V模式下，R_DSon可降低20%

- 更好的R_DSon温度稳定性

- 出色的阈值电压一致性

• V_th在25°C~175°C 的范围保持在2.0V~2.8V之间

- 体二极管正向压降非常低且稳健性高

- 100%的雪崩测试，从而提高整体的可靠性，抗冲击能力强

此外，功率产品开发中可靠性验证与质量控制是纳芯微非常重视环节之一。为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。此外，会执行比AEC-Q101更加严格的测试条件来执行产品可靠性验证，如下图：

以执行较为严苛的HV-H3TRB为例，在可靠性1000小时测试后，该款产品仍具有比较优异的稳定性。

NPC060N120A产品选型表

纳芯微SiC MOSFET命名规则

未来，纳芯微将持续扩大产品阵容，推出更多规格产品供客户选择。