芯片工艺制程套路深，高通骁龙835处理器领先英特尔整整一代是痴人说梦？

无线芯片专家高通最近宣布推出下一代高端移动处理器骁龙 835，该处理器承诺将比高通上一代骁龙 820 和 821 提供更高的计算、图形和无线性能。而且，正如 Mashable 指出，“这款芯片将会用在 2017 年所有高端 Android 手机上。”

其中最有趣的一点是，它将采用三星 10 纳米芯片制造技术。高通非常清楚地表示，这意味着在芯片制造技术方面其移动芯片超过了个人计算机处理器。

高通似乎在暗示，它现在正在超越微处理器巨头英特尔，该公司供应世界上大多数的个人计算机处理器，基本算是一家独大。

让我们仔细看看到底发生了什么。

高通公司是否真的领先英特尔整整一代？

首先要说清楚，合约芯片制造商在如何命名他们的芯片制造技术上一直在玩把戏。人们普遍认为，英特尔的 14 纳米技术在芯片面积和潜在性能方面均远远领先于三星和台积电所采用的 14/16 纳米芯片制造技术。

事实上，英特尔认为，被合约芯片制造商称为“10 纳米”的技术非常类似于英特尔的 14 纳米技术，至少在芯片面积方面是这样。不过，英特尔也承认，那些竞争对手的 10 纳米技术比英特尔的 14 纳米技术密度更高。

因此，高通暗示领先于英特尔整整一代完全是一种市场营销行为。此外，英特尔计划在 2017 年年底推出基于自己的 10 纳米技术的第一款产品，这将使它能够再次决定性地领先对手 - 至少在一段时间内是如此。

不过，这些都不是重点。关键在于，正如高通在演讲中所指出的，仅仅用了五年的时间，移动处理器的制造技术就已经从相对于个人计算机处理器落后的状态发展到了领先一个身位。

这对高通及其制造合作伙伴产生了积极影响，反过来对英特尔及其芯片制造部门产生了负面影响。

英特尔有计划解决这个问题吗？

主要的合约芯片制造商都已经明确表示，他们计划以锲而不舍的速度继续推进其芯片制造技术。例如，台积电预计今年将开始量产基于 10 纳米技术的芯片，并打算在 2018 年初开始生产基于下一代 7 纳米技术的芯片。

TSMC 的 7 纳米技术在芯片面积方面应该与英特尔的 10 纳米技术相当，不过尚不清楚哪一家公司的技术在这个指标上有优势。另一方面，英特尔告诉投资者，其 10 纳米技术将于 2017 年下半年投入生产。此外，该公司表示计划在三代产品上都使用该技术的性能增强衍生版。

当然，随着时间的推移提高性能是非常受欢迎的一种做法，因为这将使英特尔能够在每一代工艺技术上打造出更出色的产品。然而，英特尔已经把缩减芯片面积的周期拉长到了两年，而竞争对手则还在保持原来的快节奏，这是一个值得注意的报警信号。

我认为，英特尔需要增加对芯片制造技术的投资，并不懈地努力，以重新获得一个明确和持久的技术领导地位。否则，它最终将会在顶级移动芯片供应商和他们的合约芯片制造商的一骑绝尘中望尘莫及。

更多有关骁龙 835 的资讯，欢迎访问 与非网骁龙 835 专区

与非网编译，未经许可，不得转载！