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描述
此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著改善功率密度，同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用，例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。
特性
基于 GaN 的紧凑型功率级设计，具有高达 50MHz 的开关频率
适用于高侧和低侧的彼此独立的 PWM 输入，或具有可调节死区时间的单一 PWM 输入
最小脉冲宽度为 3ns
300V/ns 的高压摆率抗扰性
驱动器 UVLO 和过热保护
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LM2675MX-ADJ/NOPB | 1 | Texas Instruments | SIMPLE SWITCHER® 6.5V to 40V, 1A Low Component Count Step-Down Regulator 8-SOIC -40 to 125 |
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$4.25 | 查看 |
| NAC-16-472-D | 1 | Cosel USA Inc | Single Phase EMI Filter, 250V, 60HzHz, ROHS COMPLIANT PACKAGE |
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暂无数据 | 查看 |
| TQ2SA-24V | 1 | Panasonic Electronic Components | Power/Signal Relay, 2 Form C, DPDT, Momentary, 0.008A (Coil), 24VDC (Coil), 200mW (Coil), 2A (Contact), 220VDC (Contact), DC Input, Random, AC/DC Output, Surface Mount-Straight, ROHS COMPLIANT |
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$3.64 | 查看 |
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