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肖特基接触原理与欧姆接触不同，它主要利用金属与半导体之间的能带结构差异形成PN结，在此处可以得到较高的整流效果。
肖特基接触是在金属（或合金）与半导体之间直接接触形成的电极，其名字来源于两位发现这种现象的科学家：沃尔特·肖特基和诺贝尔奖得主威廉·肖克利。在PN结中，当材料从N型半导体转向P型时，会存在少数载流子的过渡区域。当这些载流子进入金属电极时，并且这个电极邻近了PN结，它们将被阻挡并停止进一步扩散。因此，这个电极上会积累空穴并形成一个正电荷区域，同时也会吸收从PN结中来的可移动自由电子。在两个极性之间建立一个高电势差，使之可以进行电子流。
欧姆接触是通过金属、合金和半导体之间的直接晶格匹配而形成的。在欧姆接触中，金属和半导体之间的能带有部分重叠，这使得载流子能够更容易地通过。因此，欧姆接触的电阻相对较低，但整流效果不如肖特基接触。
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